650V-1500V高压MOS

传统的超结结器件深槽外延制造工艺，由于其开关软度不够，容易出现开关振荡并引发电磁干扰（EMI）问题。安海半导体发明的超结产品具有专利技术的制程和器件结构设计，对多层外延工艺进行了优化，提升了器件开关的软度并改善了外延缺陷密度，解决了传统超结结的EMI和外延缺陷可靠性的问题，其高开关频率接近昂贵的GaN器件，而成熟的Si材料使得安海超结具备极高的可靠性。